適用範圍:
-4”~ 8”矽晶圓
製程:
-環(乾式)蝕刻
規格:
-氣體蝕刻wafer, wafer片,HF蝕刻
-內含入料出料區,定心區,蝕刻區,清潔區
優點:
-所需消耗材少, 成本低
-效能高
-客製化設計, 規格可靈活變化滿足不同客戶需求
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